Patente europea E96120399(9) - TRANSISTOR BIPOLAR DE ALTA TENSION QUE UTILIZA ELECTRODOS DE ZONA TERMINAL DE CONEXION DE TERMINACION DE CAMPO.
Nº Solicitud:
E96120399
Fecha presentación:
18/12/1996
Nº prioridad:
US 578796
Fecha prioridad:
26/12/1995
Nº publicación OEP:
EP0782198
Fecha publicación:
02/07/1997
Fecha publicación concesión:
25/04/2001
Nº publicación OEPM:
ES2155920
Fecha publicación protección provisional:
Fecha publicación protección definitiva:
01/06/2001
Título:
TRANSISTOR BIPOLAR DE ALTA TENSION QUE UTILIZA ELECTRODOS DE ZONA TERMINAL DE CONEXION DE TERMINACION DE CAMPO.
Estado:
Patente caducada
Última actualización de la base de datos:
16/03/2006
Solicitante / Titular:
Nombre:
RAYTHEON COMPANY
(100,00%)
Dirección:
141 SPRING STREET
Localidad:
LEXINGTON, MASSACHUSETTS 02
País de residencia:
US ESTADOS UNIDOS DE AMERICA
Inventor/es:
Agente:
Código del agente:
0578
Nombre:
Alfonso Díez de Rivera de Elzaburu
Dirección:
Paseo de la Castellana,150-2 -Izq.
Localidad:
Madrid
Código postal:
28046
Reivindicación de prioridad:
Clasificaciones:
Clasificación CIP7 o anteriores:
H 01L 29/06 , H 01L 29/423, H 01L 29/417, H 01L 23/485
