Patente europea E14153111(1) - Short circuit protection circuit and method for insulated gate bipolar transistor
Nº Solicitud:
E14153111
Fecha presentación:
29/01/2014
Nº prioridad:
CN 201310046177
Fecha prioridad:
05/02/2013
Nº publicación OEP:
EP2763319
Fecha publicación:
06/08/2014
Fecha publicación concesión:
30/08/2017
Título:
Short circuit protection circuit and method for insulated gate bipolar transistor
Estado:
Patente no validada
Última actualización de la base de datos:
31/05/2018
Solicitante / Titular:
Nombre:
General Electric Company
(100,00%)
Dirección:
1 River Road
Localidad:
Schenectady, NY 12345
País de residencia:
US ESTADOS UNIDOS DE AMERICA
Inventor/es:
Agente/Representante:
sin representación
Reivindicación de prioridad:
Clasificaciones:
CIP invención concesión:
H03K 17/082, H03K 17/10