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Patente europea E14153111(1) - Short circuit protection circuit and method for insulated gate bipolar transistor

Nº Solicitud:

E14153111

Fecha presentación:

29/01/2014

Nº prioridad:

CN 201310046177

Fecha prioridad:

05/02/2013

Nº publicación OEP:

EP2763319

Fecha publicación:

06/08/2014

Fecha publicación concesión:

30/08/2017

Título:

Short circuit protection circuit and method for insulated gate bipolar transistor

Estado:

Patente no validada

Última actualización de la base de datos:

31/05/2018

Solicitante / Titular:

Nombre:
General Electric Company (100,00%)
Dirección:
1 River Road
Localidad:
Schenectady, NY 12345
País de residencia:
US ESTADOS UNIDOS DE AMERICA

Inventor/es:

  1. Zhang, Fan
  2. Zhang, Yingqi
  3. Wu, Tao

Agente/Representante:

sin representación

Reivindicación de prioridad:

PaísFechaNº prioridad
CHINA05/02/2013201310046177

Clasificaciones:

CIP invención concesión:
H03K 17/082, H03K 17/10

Publicación:

Nº PublicaciónPaís de publicaciónFecha publicaciónTipo documento
EP2763319 EP06/08/2014A1 Solicitud de patente europea con informe de búsqueda en la OEP
EP2763319 EP30/08/2017B1 Patente europea en la OEP
 

Tramitado según Ley 11/1986

Actos de tramitación:

FechaActo de tramitación
06/08/2014 Publicación OEP Solicitud de Patente Europea con Informe de Búsqueda (A1).
18/03/2015 Modificación de Publicación con actualización de datos en la OEP.
10/05/2017 Publicación OEP Modificación de Datos. Título de la invención
17/05/2017 Publicación OEP Modificación de Datos. Título de la invención
30/08/2017 Publicación OEP Patente Europea (B1).
30/08/2017 No Presentada Traducción.
31/05/2018 Publicación OEP Oposiciones no presentadas.