Patente europea E11850722(7) - SEED MATERIAL FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE, AND METHOD FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE
Nº Solicitud:
E11850722
Fecha presentación:
29/06/2011
Nº prioridad:
JP 2010288467
Fecha prioridad:
24/12/2010
Nº publicación OEP:
EP2657375
Fecha publicación:
30/10/2013
Fecha publicación concesión:
08/08/2018
Nº publicación PCT:
WO2012/086238
Fecha publicación Internacional:
28/06/2012
Título:
SEED MATERIAL FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE, AND METHOD FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE
Estado:
Patente no validada
Última actualización de la base de datos:
09/05/2019
Expediente principal:
Número de solicitud:
Fecha de presentación:
29/06/2011
Solicitante / Titular:
Nombre:
Toyo Tanso Co., Ltd.
(100,00%)
Dirección:
5-7-12, Takeshima Nishiyodogawa-ku
Localidad:
Osaka-shiOsaka 555-0011
País de residencia:
JP JAPON
Inventor/es:
Agente/Representante:
sin representación
Reivindicación de prioridad:
Clasificaciones:
CIP invención concesión:
C30B 29/36, C30B 19/12, C30B 28/14