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Patente europea E04760554(8) - A NON-VOLATILE MEMORY HAVING A BIAS ON THE SOURCE ELECTRODE FOR HCI PROGRAMMING

Nº Solicitud:

E04760554

Fecha presentación:

16/04/2004

Nº prioridad:

US 426282

Fecha prioridad:

30/04/2003

Nº publicación OEP:

EP1623431

Fecha publicación:

08/02/2006

Fecha publicación concesión:

21/10/2009

Nº publicación PCT:

WO2004/100216

Fecha publicación Internacional:

18/11/2004

Título:

A NON-VOLATILE MEMORY HAVING A BIAS ON THE SOURCE ELECTRODE FOR HCI PROGRAMMING

Estado:

Patente no validada

Última actualización de la base de datos:

01/02/2010

Expediente principal:

Número de solicitud:
Fecha de presentación:
16/04/2004

Solicitante / Titular:

Nombre:
FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. (100,00%)
Dirección:
6501 WILLIAM CANNON DRIVE
Localidad:
AUSTIN, TEXAS 78735
País de residencia:
US ESTADOS UNIDOS DE AMERICA

Inventor/es:

  1. CHOY, JON, S.
  2. CHINDALORE, GOWRISHANKAR

Agente/Representante:

sin representación

Reivindicación de prioridad:

PaísFechaNº prioridad
ESTADOS UNIDOS DE AMERICA30/04/2003426282

Clasificaciones:

CIP invención publicación:
G11C 16/10, G11C 16/12, G11C 16/34
CIP invención concesión:
G11C 16/10, G11C 16/12, G11C 16/34

Publicación:

Nº PublicaciónPaís de publicaciónFecha publicaciónTipo documento
WO2004/100216WO18/11/2004A2 Solicitud internacional PCT sin informe de búsqueda internacional en la OMPI
EP1623431 EP08/02/2006B1 Patente europea en la OEP
 

Tramitado según Ley 11/1986

Actos de tramitación:

FechaActo de tramitación
18/11/2004 PUBLICACION SOLICITUD PCT
06/01/2005 ANUNCIO REALIZACION S.R.
08/02/2006 PUBLICACION SOLICITUD O.E.P.
28/02/2006 IDIOMA DE PROCEDIMIENTO INGLES
21/10/2009 PUBLICADA CONCESION O.E.P.
01/02/2010 NO PRESENTADA LA TRADUCCION